Ostaa NE4210S01-T1B BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
NE4210S01-T1B
- Osa numero:
- NE4210S01-T1B
- Valmistaja:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- Kuvaus:
- HJ-FET 13DB S01
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 12993 Pieces
- Tietolomake:
- NE4210S01-T1B.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä NE4210S01-T1B, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NE4210S01-T1B sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Testi: | 2V |
|---|---|
| Jännite - Rated: | 4V |
| transistori tyyppi: | HFET |
| Toimittaja Device Package: | SMD |
| Sarja: | - |
| Virta - Output: | - |
| Pakkaus: | Tape & Box (TB) |
| Pakkaus / Case: | 4-SMD |
| Noise Kuva: | 0.5dB |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | NE4210S01-T1B |
| Saada: | 13dB |
| Taajuus: | 12GHz |
| Laajennettu kuvaus: | RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13dB SMD |
| Kuvaus: | HJ-FET 13DB S01 |
| Nykyinen arvostelu: | 15mA |
| Nykyinen - Testi: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat NE4210S01-T1B
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
PD57018TR-E | STMicroelectronics | TRANSISTOR RF POWERSO-10 | tiedustelu |
 |
PTFA181001GL V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 100W PG-63248-2 | tiedustelu |
 |
MAGX-0110087 | M/A-Com Technology Solutions | HEMT N-CH 600W 1030-1090MHZ | tiedustelu |
 |
MRF9080LR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 960MHZ NI-780 | tiedustelu |
 |
NE4210S01 | CEL | HJ-FET 13DB S01 | tiedustelu |
 |
BLA8G1011L-300GU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502A | tiedustelu |
 |
BLM7G1822S-20PBGY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 32.3DB SOT12121 | tiedustelu |
 |
BLF7G10LS-250,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502B | tiedustelu |
 |
MRF5S4125NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 465MHZ TO-270-4 | tiedustelu |
|
BLF6G20LS-180RN:11 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT502B | tiedustelu |
 |
BLF642,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT467C | tiedustelu |
 |
BF256A | ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 7MA TO92 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog