NGTB30N120IHRWG
NGTB30N120IHRWG
Osa numero:
NGTB30N120IHRWG
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
IGBT 1200V 60A 384W TO247
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14464 Pieces
Tietolomake:
NGTB30N120IHRWG.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NGTB30N120IHRWG, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NGTB30N120IHRWG sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NGTB30N120IHRWG BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):1200V
Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic:2.5V @ 15V, 30A
Testaa kunto:600V, 30A, 10 Ohm, 15V
Td (päällä / pois) @ 25 ° C:-/230ns
Switching Energy:700µJ (off)
Toimittaja Device Package:TO-247
Sarja:-
Virta - Max:384W
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-247-3
Muut nimet:NGTB30N120IHRWGOS
Käyttölämpötila:-40°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:17 Weeks
Valmistajan osanumero:NGTB30N120IHRWG
Syötetyyppi:Standard
IGBT Tyyppi:Trench Field Stop
Gate Charge:225nC
Laajennettu kuvaus:IGBT Trench Field Stop 1200V 60A 384W Through Hole TO-247
Kuvaus:IGBT 1200V 60A 384W TO247
Nykyinen - Collector Pulssi (ICM):120A
Nykyinen - Collector (le) (Max):60A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit