NJVMJD127T4G
NJVMJD127T4G
Osa numero:
NJVMJD127T4G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
IC TRANS PNP 8A 100V DPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19086 Pieces
Tietolomake:
NJVMJD127T4G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NJVMJD127T4G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NJVMJD127T4G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NJVMJD127T4G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:4V @ 80mA, 8A
transistori tyyppi:PNP - Darlington
Toimittaja Device Package:DPAK
Sarja:-
Virta - Max:20W
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Käyttölämpötila:-65°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:2 Weeks
Valmistajan osanumero:NJVMJD127T4G
Taajuus - Siirtyminen:-
Laajennettu kuvaus:Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 8A 20W Surface Mount DPAK
Kuvaus:IC TRANS PNP 8A 100V DPAK
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:1000 @ 4A, 4V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):10µA
Nykyinen - Collector (le) (Max):8A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit