NJW1302G
NJW1302G
Osa numero:
NJW1302G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS PNP 250V 15A TO-3P
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18209 Pieces
Tietolomake:
NJW1302G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NJW1302G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NJW1302G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NJW1302G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):250V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:600mV @ 800mA, 8A
transistori tyyppi:PNP
Toimittaja Device Package:TO-3P
Sarja:-
Virta - Max:200W
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-3P-3, SC-65-3
Muut nimet:NJW1302G-ND
NJW1302GOS
Käyttölämpötila:-65°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:7 Weeks
Valmistajan osanumero:NJW1302G
Taajuus - Siirtyminen:30MHz
Laajennettu kuvaus:Bipolar (BJT) Transistor PNP 250V 15A 30MHz 200W Through Hole TO-3P
Kuvaus:TRANS PNP 250V 15A TO-3P
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:75 @ 3A, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):50µA (ICBO)
Nykyinen - Collector (le) (Max):15A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit