Ostaa NOSB226M004R0600 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
NOSB226M004R0600
- Osa numero:
- NOSB226M004R0600
- Valmistaja:
- AVX Corporation
- Kuvaus:
- CAP NIOB OXIDE 22UF 20% 4V 1210
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 16131 Pieces
- Tietolomake:
- NOSB226M004R0600.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä NOSB226M004R0600, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NOSB226M004R0600 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Rated: | 4V |
|---|---|
| Toleranssi: | ±20% |
| Toimittaja Device Package: | 1210 (3528 Metric) |
| Koko / Dimension: | 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) |
| Sarja: | OxiCap® NOS |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 1411 (3528 Metric) |
| Muut nimet: | 478-3232-2 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 125°C |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 19 Weeks |
| Valmistaja Koko Koodi: | B |
| Valmistajan osanumero: | NOSB226M004R0600 |
| Korkeus - Istuva (Max): | 0.083" (2.10mm) |
| ominaisuudet: | Low ESR |
| Laajennettu kuvaus: | 22µF Niobium Oxide Capacitor 4V 1411 (3528 Metric) 600 mOhm ESR |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 600 mOhm |
| häviökerroin: | 6% |
| Kuvaus: | CAP NIOB OXIDE 22UF 20% 4V 1210 |
| Nykyinen - Vuoto: | 1.8µA |
| kapasitanssi: | 22µF |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat NOSB226M004R0600
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
NOSC686M002R0200 | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 68UF 20% 2.5V 2312 | tiedustelu |
 |
NOSB226M008R1800V | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 22UF 20% 8V 1210 | tiedustelu |
|
NOSB226M006R0600 | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 22UF 20% 6.3V 1210 | tiedustelu |
 |
NOJT226M001RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 22UF 20% 1.8V 1210 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog