Ostaa NOSD107M006R0080 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
NOSD107M006R0080
- Osa numero:
- NOSD107M006R0080
- Valmistaja:
- AVX Corporation
- Kuvaus:
- CAP NIOB OXI 100UF 20% 6.3V 2917
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 12899 Pieces
- Tietolomake:
- NOSD107M006R0080.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä NOSD107M006R0080, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NOSD107M006R0080 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Rated: | 6.3V |
|---|---|
| Toleranssi: | ±20% |
| Toimittaja Device Package: | 2917 (7343 Metric) |
| Koko / Dimension: | 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) |
| Sarja: | OxiCap® NOS |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 2917 (7343 Metric) |
| Muut nimet: | 478-3247-2 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 125°C |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Valmistajan toimitusaika: | 15 Weeks |
| Valmistaja Koko Koodi: | D |
| Valmistajan osanumero: | NOSD107M006R0080 |
| Korkeus - Istuva (Max): | 0.122" (3.10mm) |
| ominaisuudet: | Low ESR |
| Laajennettu kuvaus: | 100µF Niobium Oxide Capacitor 6.3V 2917 (7343 Metric) 80 mOhm ESR |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 80 mOhm |
| häviökerroin: | 6% |
| Kuvaus: | CAP NIOB OXI 100UF 20% 6.3V 2917 |
| Nykyinen - Vuoto: | 12µA |
| kapasitanssi: | 100µF |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat NOSD107M006R0080
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
NOSD157M006R0100 | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 150UF 20% 6.3V 2917 | tiedustelu |
|
NOSD157M006R0070 | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 150UF 20% 6.3V 2917 | tiedustelu |
|
NOSD107M006R0100 | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 100UF 20% 6.3V 2917 | tiedustelu |
|
NOSD157M006R0050 | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 150UF 20% 6.3V 2917 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog