Ostaa NP35N04YUG-E1-AY BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | 8-HSON |
Sarja: | - |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 10 mOhm @ 17.5A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 1W (Ta), 77W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
Muut nimet: | NP35N04YUG-E1-AY-ND NP35N04YUG-E1-AYTR |
Käyttölämpötila: | 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 16 Weeks |
Valmistajan osanumero: | NP35N04YUG-E1-AY |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2850pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 54nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 40V 35A (Tc) 1W (Ta), 77W (Tc) Surface Mount 8-HSON |
Valua lähde jännite (Vdss): | 40V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 40V 35A 8HSON |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 35A (Tc) |
Email: | [email protected] |