Ostaa NRVB8H100MFSWFT1G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
NRVB8H100MFSWFT1G
- Osa numero:
- NRVB8H100MFSWFT1G
- Valmistaja:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Kuvaus:
- DIODE SCHOTTKY 8A 100V SO8FL
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 15421 Pieces
- Tietolomake:
- NRVB8H100MFSWFT1G.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä NRVB8H100MFSWFT1G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NRVB8H100MFSWFT1G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos: | 900mV @ 8A |
|---|---|
| Jännite - DC Reverse (Vr) (Max): | 100V |
| Toimittaja Device Package: | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Nopeus: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Sarja: | Automotive, AEC-Q101 |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Käyttölämpötila - liitäntä: | -55°C ~ 175°C |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 29 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | NRVB8H100MFSWFT1G |
| Laajennettu kuvaus: | Diode Schottky 100V 8A Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| diodi Tyyppi: | Schottky |
| Kuvaus: | DIODE SCHOTTKY 8A 100V SO8FL |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr: | 2µA @ 100V |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io): | 8A |
| Kapasitanssi @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat NRVB8H100MFSWFT1G
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
NRVB860MFST3G | ON Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 60V 8A 5DFN | tiedustelu |
|
NRVB830MFST1G | ON Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 30V 8A 5DFN | tiedustelu |
|
NRVB8H100MFST1G | ON Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 100V 8A 5DFN | tiedustelu |
 |
SS2FL3-M3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO-219AB | tiedustelu |
|
NRVB8H100MFST3G | ON Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 100V 8A 5DFN | tiedustelu |
|
NRVB8H100MFSWFT3G | ON Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 8A 100V SO8FL | tiedustelu |
|
NRVB860MFST1G | ON Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 60V 8A 5DFN | tiedustelu |
 |
ESH2D-M3/5BT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA | tiedustelu |
|
NRVB830MFST3G | ON Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 30V 8A 5DFN | tiedustelu |
 |
AG01AV | Sanken | DIODE GEN PURP 600V 500MA AXIAL | tiedustelu |
 |
1N4002GPE-M3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURPOSE DO-204AL | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog