NSB8JTHE3/81
NSB8JTHE3/81
Osa numero:
NSB8JTHE3/81
Valmistaja:
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Kuvaus:
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18160 Pieces
Tietolomake:
1.NSB8JTHE3/81.pdf2.NSB8JTHE3/81.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NSB8JTHE3/81, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NSB8JTHE3/81 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NSB8JTHE3/81 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos:1.1V @ 8A
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max):600V
Toimittaja Device Package:TO-263AB
Nopeus:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Sarja:-
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Käyttölämpötila - liitäntä:-55°C ~ 150°C
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:NSB8JTHE3/81
Laajennettu kuvaus:Diode Standard 600V 8A Surface Mount TO-263AB
diodi Tyyppi:Standard
Kuvaus:DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr:10µA @ 600V
Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io):8A
Kapasitanssi @ Vr, F:55pF @ 4V, 1MHz
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit