NSBC123JDXV6T1
NSBC123JDXV6T1
Osa numero:
NSBC123JDXV6T1
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13445 Pieces
Tietolomake:
NSBC123JDXV6T1.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NSBC123JDXV6T1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NSBC123JDXV6T1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NSBC123JDXV6T1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
transistori tyyppi:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Toimittaja Device Package:SOT-563
Sarja:-
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):47k
Vastus - Base (R1) (ohmia):2.2k
Virta - Max:500mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:SOT-563, SOT-666
Muut nimet:NSBC123JDXV6TOSTR
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:NSBC123JDXV6T1
Taajuus - Siirtyminen:-
Laajennettu kuvaus:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
Kuvaus:TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 5mA, 10V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):500nA
Nykyinen - Collector (le) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit