NSBC143TF3T5G
NSBC143TF3T5G
Osa numero:
NSBC143TF3T5G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS PREBIAS DUAL NPN
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17287 Pieces
Tietolomake:
NSBC143TF3T5G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NSBC143TF3T5G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NSBC143TF3T5G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NSBC143TF3T5G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 1mA, 10mA
transistori tyyppi:NPN - Pre-Biased
Toimittaja Device Package:SOT-1123
Sarja:-
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):-
Vastus - Base (R1) (ohmia):4.7k
Virta - Max:254mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:SOT-1123
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:4 Weeks
Valmistajan osanumero:NSBC143TF3T5G
Taajuus - Siirtyminen:-
Laajennettu kuvaus:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 254mW Surface Mount SOT-1123
Kuvaus:TRANS PREBIAS DUAL NPN
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:160 @ 5mA, 10V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):500nA
Nykyinen - Collector (le) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit