NSS60200LT1G
NSS60200LT1G
Osa numero:
NSS60200LT1G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS PNP 60V 2A SOT-23
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13253 Pieces
Tietolomake:
NSS60200LT1G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NSS60200LT1G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NSS60200LT1G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NSS60200LT1G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:220mV @ 200mA, 2A
transistori tyyppi:PNP
Toimittaja Device Package:SOT-23-3 (TO-236)
Sarja:-
Virta - Max:460mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Muut nimet:NSS60200LT1GOSTR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:12 Weeks
Valmistajan osanumero:NSS60200LT1G
Taajuus - Siirtyminen:100MHz
Laajennettu kuvaus:Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 2A 100MHz 460mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Kuvaus:TRANS PNP 60V 2A SOT-23
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:150 @ 500mA, 2V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Nykyinen - Collector (le) (Max):2A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit