NST847BDP6T5G
NST847BDP6T5G
Osa numero:
NST847BDP6T5G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT963
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14704 Pieces
Tietolomake:
NST847BDP6T5G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NST847BDP6T5G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NST847BDP6T5G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NST847BDP6T5G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:600mV @ 5mA, 100mA
transistori tyyppi:2 NPN (Dual)
Toimittaja Device Package:SOT-963
Sarja:-
Virta - Max:350mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:SOT-963
Muut nimet:NST847BDP6T5G-ND
NST847BDP6T5GOSTR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:2 Weeks
Valmistajan osanumero:NST847BDP6T5G
Taajuus - Siirtyminen:100MHz
Laajennettu kuvaus:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 45V 100mA 100MHz 350mW Surface Mount SOT-963
Kuvaus:TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT963
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:200 @ 2mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):15nA (ICBO)
Nykyinen - Collector (le) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit