NSVMMBT589LT1G
NSVMMBT589LT1G
Osa numero:
NSVMMBT589LT1G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS PNP 30V 1A SOT-23
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13967 Pieces
Tietolomake:
NSVMMBT589LT1G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NSVMMBT589LT1G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NSVMMBT589LT1G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NSVMMBT589LT1G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:650mV @ 200mA, 2A
transistori tyyppi:PNP
Toimittaja Device Package:SOT-23-3
Sarja:-
Virta - Max:310mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:4 Weeks
Valmistajan osanumero:NSVMMBT589LT1G
Taajuus - Siirtyminen:100MHz
Laajennettu kuvaus:Bipolar (BJT) Transistor PNP 30V 1A 100MHz 310mW Surface Mount SOT-23-3
Kuvaus:TRANS PNP 30V 1A SOT-23
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ 500mA, 2V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):100nA
Nykyinen - Collector (le) (Max):1A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit