NSVMMUN2237LT1G
NSVMMUN2237LT1G
Osa numero:
NSVMMUN2237LT1G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14991 Pieces
Tietolomake:
NSVMMUN2237LT1G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NSVMMUN2237LT1G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NSVMMUN2237LT1G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NSVMMUN2237LT1G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 5mA, 10mA
transistori tyyppi:NPN - Pre-Biased
Toimittaja Device Package:SOT-23-3 (TO-236)
Sarja:Automotive, AEC-Q101
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):22k
Vastus - Base (R1) (ohmia):47k
Virta - Max:246mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:12 Weeks
Valmistajan osanumero:NSVMMUN2237LT1G
Taajuus - Siirtyminen:-
Laajennettu kuvaus:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Kuvaus:TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 5mA, 10V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):500nA
Nykyinen - Collector (le) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit