Ostaa NSVMMUN2237LT1G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
NSVMMUN2237LT1G
- Osa numero:
- NSVMMUN2237LT1G
- Valmistaja:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Kuvaus:
- TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 14991 Pieces
- Tietolomake:
- NSVMMUN2237LT1G.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä NSVMMUN2237LT1G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NSVMMUN2237LT1G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 50V |
|---|---|
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 5mA, 10mA |
| transistori tyyppi: | NPN - Pre-Biased |
| Toimittaja Device Package: | SOT-23-3 (TO-236) |
| Sarja: | Automotive, AEC-Q101 |
| Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia): | 22k |
| Vastus - Base (R1) (ohmia): | 47k |
| Virta - Max: | 246mW |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 12 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | NSVMMUN2237LT1G |
| Taajuus - Siirtyminen: | - |
| Laajennettu kuvaus: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| Kuvaus: | TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23 |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 80 @ 5mA, 10V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat NSVMMUN2237LT1G
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
NSVMMUN2235LT1G | ON Semiconductor | TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23-3 | tiedustelu |
|
NSVMMUN2232LT1G | ON Semiconductor | TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 | tiedustelu |
|
NSVMMUN2232LT3G | ON Semiconductor | TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23 | tiedustelu |
|
NSVMMUN2217LT1G | ON Semiconductor | TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23 | tiedustelu |
|
NSVMMUN2233LT3G | ON Semiconductor | TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23 | tiedustelu |
|
NSVMMUN2133LT1G | ON Semiconductor | TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23 | tiedustelu |
|
NSVMMUN2212LT1G | ON Semiconductor | TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23 | tiedustelu |
|
NSVMMUN2230LT1G | ON Semiconductor | TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23 | tiedustelu |
|
NSVMMUN2131LT1G | ON Semiconductor | TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23 | tiedustelu |
|
NSVMMUN2114LT3G | ON Semiconductor | TRANS PNP BIPO 50V SOT23-3 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog