NSVMUN5312DW1T3G
NSVMUN5312DW1T3G
Osa numero:
NSVMUN5312DW1T3G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS NPN/PNP 50V BIPO SC88-6
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12443 Pieces
Tietolomake:
NSVMUN5312DW1T3G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NSVMUN5312DW1T3G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NSVMUN5312DW1T3G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NSVMUN5312DW1T3G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
transistori tyyppi:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Toimittaja Device Package:SC-88/SC70-6/SOT-363
Sarja:-
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):22k
Vastus - Base (R1) (ohmia):22k
Virta - Max:250mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:10 Weeks
Valmistajan osanumero:NSVMUN5312DW1T3G
Taajuus - Siirtyminen:-
Laajennettu kuvaus:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Kuvaus:TRANS NPN/PNP 50V BIPO SC88-6
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:60 @ 5mA, 10V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):500nA
Nykyinen - Collector (le) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit