NTB30N06G
NTB30N06G
Osa numero:
NTB30N06G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16783 Pieces
Tietolomake:
NTB30N06G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NTB30N06G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NTB30N06G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NTB30N06G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:D2PAK
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:42 mOhm @ 15A, 10V
Tehonkulutus (Max):88.2W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:NTB30N06G
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1200pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:46nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 60V 27A (Ta) 88.2W (Tc) Surface Mount D2PAK
Valua lähde jännite (Vdss):60V
Kuvaus:MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:27A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit