Ostaa NTD110N02RT4 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | DPAK |
Sarja: | - |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 4.6 mOhm @ 20A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 1.5W (Ta), 110W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Muut nimet: | NTD110N02RT4OSTR |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | NTD110N02RT4 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 3440pF @ 20V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 28nC @ 4.5V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 24V 12.5A (Ta), 110A (Tc) 1.5W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount DPAK |
Valua lähde jännite (Vdss): | 24V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 12.5A (Ta), 110A (Tc) |
Email: | [email protected] |