NTD23N03R-001
NTD23N03R-001
Osa numero:
NTD23N03R-001
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 25V 3.8A IPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13650 Pieces
Tietolomake:
NTD23N03R-001.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NTD23N03R-001, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NTD23N03R-001 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NTD23N03R-001 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:I-Pak
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:45 mOhm @ 6A, 10V
Tehonkulutus (Max):1.14W (Ta), 22.3W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Muut nimet:NTD23N03R-001OS
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:NTD23N03R-001
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:225pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:3.76nC @ 4.5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 25V 3.8A (Ta), 17.1A (Tc) 1.14W (Ta), 22.3W (Tc) Through Hole I-Pak
Valua lähde jännite (Vdss):25V
Kuvaus:MOSFET N-CH 25V 3.8A IPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:3.8A (Ta), 17.1A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit