Ostaa NTD32N06L-001 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | I-Pak |
Sarja: | - |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 28 mOhm @ 16A, 5V |
Tehonkulutus (Max): | 1.5W (Ta), 93.75W (Tj) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Muut nimet: | NTD32N06L-001OS |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | NTD32N06L-001 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1700pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 50nC @ 5V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 60V 32A (Ta) 1.5W (Ta), 93.75W (Tj) Through Hole I-Pak |
Valua lähde jännite (Vdss): | 60V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 60V 32A IPAK |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 32A (Ta) |
Email: | [email protected] |