Ostaa NTD4808N-1G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | I-Pak |
Sarja: | - |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 8 mOhm @ 30A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 1.4W (Ta), 54.6W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 4 Weeks |
Valmistajan osanumero: | NTD4808N-1G |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1538pF @ 12V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 13nC @ 4.5V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 30V 10A (Ta), 63A (Tc) 1.4W (Ta), 54.6W (Tc) Through Hole I-Pak |
Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 30V 9.8A IPAK |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 10A (Ta), 63A (Tc) |
Email: | [email protected] |