NTD4913N-1G
NTD4913N-1G
Osa numero:
NTD4913N-1G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 32A IPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12028 Pieces
Tietolomake:
NTD4913N-1G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NTD4913N-1G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NTD4913N-1G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NTD4913N-1G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:I-Pak
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:10.5 mOhm @ 30A, 10V
Tehonkulutus (Max):1.36W (Ta), 24W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:NTD4913N-1G
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1013pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 7.7A (Ta), 32A (Tc) 1.36W (Ta), 24W (Tc) Through Hole I-Pak
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N-CH 30V 32A IPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:7.7A (Ta), 32A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit