NTD60N02R-35G
NTD60N02R-35G
Osa numero:
NTD60N02R-35G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16465 Pieces
Tietolomake:
NTD60N02R-35G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NTD60N02R-35G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NTD60N02R-35G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NTD60N02R-35G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:I-Pak
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:10.5 mOhm @ 20A, 10V
Tehonkulutus (Max):1.25W (Ta), 58W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-251-3 Stub Leads, IPak
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:NTD60N02R-35G
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1330pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:14nC @ 4.5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 25V 8.5A (Ta), 32A (Tc) 1.25W (Ta), 58W (Tc) Through Hole I-Pak
Valua lähde jännite (Vdss):25V
Kuvaus:MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:8.5A (Ta), 32A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit