NTD80N02T4G
NTD80N02T4G
Osa numero:
NTD80N02T4G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19284 Pieces
Tietolomake:
NTD80N02T4G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NTD80N02T4G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NTD80N02T4G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NTD80N02T4G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:DPAK
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:5.8 mOhm @ 80A, 10V
Tehonkulutus (Max):75W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet:NTD80N02T4GOS
NTD80N02T4GOS-ND
NTD80N02T4GOSTR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:NTD80N02T4G
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:2600pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:42nC @ 4.5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 24V 80A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount DPAK
Valua lähde jännite (Vdss):24V
Kuvaus:MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit