NTGD3147FT1G
Osa numero:
NTGD3147FT1G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18367 Pieces
Tietolomake:
NTGD3147FT1G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NTGD3147FT1G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NTGD3147FT1G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NTGD3147FT1G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:6-TSOP
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:145 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Tehonkulutus (Max):1W (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:SOT-23-6
Käyttölämpötila:-25°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:NTGD3147FT1G
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:400pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:5.5nC @ 4.5V
FET tyyppi:P-Channel
FET Ominaisuus:Schottky Diode (Isolated)
Laajennettu kuvaus:P-Channel 20V 2.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Valua lähde jännite (Vdss):20V
Kuvaus:MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:2.2A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit