NTGS4111PT1G
Osa numero:
NTGS4111PT1G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET P-CH 30V 2.6A 6-TSOP
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13807 Pieces
Tietolomake:
NTGS4111PT1G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NTGS4111PT1G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NTGS4111PT1G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NTGS4111PT1G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:6-TSOP
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:60 mOhm @ 3.7A, 10V
Tehonkulutus (Max):630mW (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:SOT-23-6
Muut nimet:NTGS4111PT1GOSTR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:30 Weeks
Valmistajan osanumero:NTGS4111PT1G
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:750pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:32nC @ 10V
FET tyyppi:P-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:P-Channel 30V 2.6A (Ta) 630mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET P-CH 30V 2.6A 6-TSOP
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:2.6A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit