NTLGF3501NT1G
NTLGF3501NT1G
Osa numero:
NTLGF3501NT1G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15946 Pieces
Tietolomake:
NTLGF3501NT1G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NTLGF3501NT1G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NTLGF3501NT1G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NTLGF3501NT1G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:6-DFN (3x3)
Sarja:FETKY™
RDS (Max) @ Id, Vgs:90 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Tehonkulutus (Max):1.14W (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:6-VDFN Exposed Pad
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):3 (168 Hours)
Valmistajan osanumero:NTLGF3501NT1G
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:275pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 4.5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 20V 2.8A (Ta) 1.14W (Ta) Surface Mount 6-DFN (3x3)
Valua lähde jännite (Vdss):20V
Kuvaus:MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:2.8A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit