Ostaa NTLJF3118NTBG BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
NTLJF3118NTBG
- Osa numero:
- NTLJF3118NTBG
- Valmistaja:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 20V 2.6A 6-WDFN
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 14766 Pieces
- Tietolomake:
- NTLJF3118NTBG.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä NTLJF3118NTBG, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NTLJF3118NTBG sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | 6-WDFN (2x2) |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 65 mOhm @ 3.8A, 4.5V |
| Tehonkulutus (Max): | 700mW (Ta) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 6-WDFN Exposed Pad |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | NTLJF3118NTBG |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 271pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 3.7nC @ 4.5V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | Schottky Diode (Isolated) |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 20V 2.6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2) |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 20V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 20V 2.6A 6-WDFN |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 2.6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat NTLJF3118NTBG
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
NTLJF3117PTAG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN | tiedustelu |
 |
FDD86102LZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 8A DPAK | tiedustelu |
|
NTLJF3118NTAG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 2.6A 6-WDFN | tiedustelu |
|
NTLJF3117PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN | tiedustelu |
 |
2SK3745LS | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 1500V 2A TO-220FI | tiedustelu |
 |
NTLJF4156NTAG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-WDFN | tiedustelu |
 |
ZVN2535ASTOA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 350V 0.09A TO92-3 | tiedustelu |
|
NTLJF4156NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-WDFN | tiedustelu |
 |
NDT02N40T1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 0.4A SOT223 | tiedustelu |
 |
NTS2101PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog