NTLJS2103PTBG
NTLJS2103PTBG
Osa numero:
NTLJS2103PTBG
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET P-CH 12V 3.5A 6-WDFN
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18798 Pieces
Tietolomake:
NTLJS2103PTBG.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NTLJS2103PTBG, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NTLJS2103PTBG sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NTLJS2103PTBG BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:800mV @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:6-WDFN (2x2)
Sarja:µCool™
RDS (Max) @ Id, Vgs:40 mOhm @ 3A, 4.5V
Tehonkulutus (Max):700mW (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:6-WDFN Exposed Pad
Muut nimet:NTLJS2103PTBG-ND
NTLJS2103PTBGOSTR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:41 Weeks
Valmistajan osanumero:NTLJS2103PTBG
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1157pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 4.5V
FET tyyppi:P-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:P-Channel 12V 3.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Valua lähde jännite (Vdss):12V
Kuvaus:MOSFET P-CH 12V 3.5A 6-WDFN
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:3.5A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit