NTMFS4122NT1G
NTMFS4122NT1G
Osa numero:
NTMFS4122NT1G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 9.1A SO-8FL
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14360 Pieces
Tietolomake:
NTMFS4122NT1G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NTMFS4122NT1G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NTMFS4122NT1G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NTMFS4122NT1G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:6 mOhm @ 14A, 10V
Tehonkulutus (Max):900mW (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-PowerTDFN, 5 Leads
Muut nimet:NTMFS4122NT1G-ND
NTMFS4122NT1GOSTR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:NTMFS4122NT1G
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:2310pF @ 24V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:30nC @ 4.5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 9.1A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N-CH 30V 9.1A SO-8FL
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:9.1A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit