NTMFS4833NT3G
NTMFS4833NT3G
Osa numero:
NTMFS4833NT3G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FL
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12110 Pieces
Tietolomake:
NTMFS4833NT3G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NTMFS4833NT3G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NTMFS4833NT3G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NTMFS4833NT3G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:2 mOhm @ 30A, 10V
Tehonkulutus (Max):910mW (Ta), 125W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-PowerTDFN, 5 Leads
Muut nimet:NTMFS4833NT3G-ND
NTMFS4833NT3GOSTR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:29 Weeks
Valmistajan osanumero:NTMFS4833NT3G
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:5600pF @ 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:88nC @ 11.5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 16A (Ta), 156A (Tc) 910mW (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FL
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:16A (Ta), 156A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit