NTMFS4C08NT1G-001
NTMFS4C08NT1G-001
Osa numero:
NTMFS4C08NT1G-001
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14662 Pieces
Tietolomake:
NTMFS4C08NT1G-001.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NTMFS4C08NT1G-001, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NTMFS4C08NT1G-001 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NTMFS4C08NT1G-001 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.1V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:5.8 mOhm @ 18A, 10V
Tehonkulutus (Max):760mW (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-PowerTDFN
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:NTMFS4C08NT1G-001
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1670pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:18.2nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 9A (Ta), 52A (Tc) 760mW (Ta) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:9A (Ta), 52A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit