NTMFS4H02NFT3G
NTMFS4H02NFT3G
Osa numero:
NTMFS4H02NFT3G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 25V 37A SO8FL
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15738 Pieces
Tietolomake:
NTMFS4H02NFT3G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NTMFS4H02NFT3G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NTMFS4H02NFT3G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NTMFS4H02NFT3G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.1V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:1.4 mOhm @ 30A, 10V
Tehonkulutus (Max):3.13W (Ta), 83W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-PowerTDFN
Käyttölämpötila:150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:27 Weeks
Valmistajan osanumero:NTMFS4H02NFT3G
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:2652pF @ 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:40.9nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 25V 37A (Ta), 193A (Tc) 3.13W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Valua lähde jännite (Vdss):25V
Kuvaus:MOSFET N-CH 25V 37A SO8FL
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:37A (Ta), 193A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit