NTMS4P01R2
Osa numero:
NTMS4P01R2
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET P-CH 12V 3.4A 8-SOIC
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13721 Pieces
Tietolomake:
NTMS4P01R2.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NTMS4P01R2, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NTMS4P01R2 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NTMS4P01R2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:1.15V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:8-SOIC
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:45 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Tehonkulutus (Max):790mW (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Muut nimet:NTMS4P01R2OS
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:NTMS4P01R2
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1850pF @ 9.6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 4.5V
FET tyyppi:P-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:P-Channel 12V 3.4A (Ta) 790mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Valua lähde jännite (Vdss):12V
Kuvaus:MOSFET P-CH 12V 3.4A 8-SOIC
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:3.4A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit