NTMS5835NLR2G
Osa numero:
NTMS5835NLR2G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 40V 9.2A 8SOIC
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17231 Pieces
Tietolomake:
NTMS5835NLR2G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NTMS5835NLR2G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NTMS5835NLR2G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NTMS5835NLR2G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:8-SOIC
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:10 mOhm @ 10A, 10V
Tehonkulutus (Max):1.5W (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Muut nimet:NTMS5835NLR2G-ND
NTMS5835NLR2GOSTR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:NTMS5835NLR2G
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:2115pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:50nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 40V 9.2A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Valua lähde jännite (Vdss):40V
Kuvaus:MOSFET N-CH 40V 9.2A 8SOIC
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:9.2A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit