NTR2101PT1
NTR2101PT1
Osa numero:
NTR2101PT1
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15164 Pieces
Tietolomake:
NTR2101PT1.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NTR2101PT1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NTR2101PT1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NTR2101PT1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:SOT-23-3 (TO-236)
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:52 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Tehonkulutus (Max):960mW (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:NTR2101PT1
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1173pF @ 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 4.5V
FET tyyppi:P-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:P-Channel 8V 960mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Valua lähde jännite (Vdss):8V
Kuvaus:MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit