NVB5860NT4G
NVB5860NT4G
Osa numero:
NVB5860NT4G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19570 Pieces
Tietolomake:
NVB5860NT4G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NVB5860NT4G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NVB5860NT4G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NVB5860NT4G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:D2PAK-3
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:3 mOhm @ 75A, 10V
Tehonkulutus (Max):283W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:NVB5860NT4G
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:10760pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:180nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 60V 220A (Tc) 283W (Tc) Surface Mount D2PAK-3
Valua lähde jännite (Vdss):60V
Kuvaus:MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:220A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit