NVD5117PLT4G-VF01
NVD5117PLT4G-VF01
Osa numero:
NVD5117PLT4G-VF01
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET P-CH 60V 61A DPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18400 Pieces
Tietolomake:
NVD5117PLT4G-VF01.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NVD5117PLT4G-VF01, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NVD5117PLT4G-VF01 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NVD5117PLT4G-VF01 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:DPAK-3
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:16 mOhm @ 29A, 10V
Tehonkulutus (Max):4.1W (Ta), 118W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet:NVD5117PLT4G
NVD5117PLT4G-VF01TR
NVD5117PLT4GOSTR
NVD5117PLT4GOSTR-ND
NVD6828NLT4G-VF01
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:19 Weeks
Valmistajan osanumero:NVD5117PLT4G-VF01
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:4800pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:85nC @ 10V
FET tyyppi:P-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:P-Channel 60V 11A (Ta), 61A (Tc) 4.1W (Ta), 118W (Tc) Surface Mount DPAK-3
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):60V
Kuvaus:MOSFET P-CH 60V 61A DPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:11A (Ta), 61A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit