NVMFD5483NLT3G
NVMFD5483NLT3G
Osa numero:
NVMFD5483NLT3G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17454 Pieces
Tietolomake:
NVMFD5483NLT3G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NVMFD5483NLT3G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NVMFD5483NLT3G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NVMFD5483NLT3G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Toimittaja Device Package:8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:36 mOhm @ 15A, 10V
Virta - Max:3.1W
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-PowerTDFN
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:5 Weeks
Valmistajan osanumero:NVMFD5483NLT3G
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:668pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:23.4nC @ 10V
FET tyyppi:2 N-Channel (Dual)
FET Ominaisuus:Logic Level Gate
Laajennettu kuvaus:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6.4A 3.1W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Valua lähde jännite (Vdss):60V
Kuvaus:MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:6.4A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit