NVMS4816NR2G
Osa numero:
NVMS4816NR2G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18364 Pieces
Tietolomake:
NVMS4816NR2G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NVMS4816NR2G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NVMS4816NR2G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NVMS4816NR2G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:8-SOIC
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:10 mOhm @ 9A, 10V
Tehonkulutus (Max):-
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Käyttölämpötila:-
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:NVMS4816NR2G
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1060pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:9.2nC @ 4.5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 6.8A (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:6.8A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit