P2N2907AZL1G
Osa numero:
P2N2907AZL1G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS PNP 60V 0.6A TO-92
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14868 Pieces
Tietolomake:
P2N2907AZL1G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä P2N2907AZL1G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma P2N2907AZL1G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa P2N2907AZL1G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:1.6V @ 50mA, 500mA
transistori tyyppi:PNP
Toimittaja Device Package:TO-92-3
Sarja:-
Virta - Max:625mW
Pakkaus:Tape & Box (TB)
Pakkaus / Case:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:P2N2907AZL1G
Taajuus - Siirtyminen:200MHz
Laajennettu kuvaus:Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 600mA 200MHz 625mW Through Hole TO-92-3
Kuvaus:TRANS PNP 60V 0.6A TO-92
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ 150mA, 10V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):10nA
Nykyinen - Collector (le) (Max):600mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit