PDTA123JS,126
PDTA123JS,126
Osa numero:
PDTA123JS,126
Valmistaja:
NXP Semiconductors / Freescale
Kuvaus:
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12158 Pieces
Tietolomake:
PDTA123JS,126.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä PDTA123JS,126, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma PDTA123JS,126 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa PDTA123JS,126 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:100mV @ 250µA, 5mA
transistori tyyppi:PNP - Pre-Biased
Toimittaja Device Package:TO-92-3
Sarja:-
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):47k
Vastus - Base (R1) (ohmia):2.2k
Virta - Max:500mW
Pakkaus:Tape & Box (TB)
Pakkaus / Case:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Muut nimet:934057560126
PDTA123JS AMO
PDTA123JS AMO-ND
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:PDTA123JS,126
Taajuus - Siirtyminen:-
Laajennettu kuvaus:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
Kuvaus:TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ 10mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):1µA
Nykyinen - Collector (le) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit