PDTA123JT,215
PDTA123JT,215
Osa numero:
PDTA123JT,215
Valmistaja:
Nexperia
Kuvaus:
TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17287 Pieces
Tietolomake:
PDTA123JT,215.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä PDTA123JT,215, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma PDTA123JT,215 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa PDTA123JT,215 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:100mV @ 250µA, 5mA
transistori tyyppi:PNP - Pre-Biased
Toimittaja Device Package:TO-236AB (SOT23)
Sarja:-
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):47k
Vastus - Base (R1) (ohmia):2.2k
Virta - Max:250mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Muut nimet:1727-1692-2
568-11231-2
568-11231-2-ND
934055395215
PDTA123JT T/R
PDTA123JT T/R-ND
PDTA123JT,215-ND
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:13 Weeks
Valmistajan osanumero:PDTA123JT,215
Taajuus - Siirtyminen:-
Laajennettu kuvaus:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Kuvaus:TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ 10mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Nykyinen - Collector (le) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit