Ostaa PDTB123ET,215 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
PDTB123ET,215
- Osa numero:
- PDTB123ET,215
- Valmistaja:
- Nexperia
- Kuvaus:
- TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18386 Pieces
- Tietolomake:
- 1.PDTB123ET,215.pdf2.PDTB123ET,215.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä PDTB123ET,215, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma PDTB123ET,215 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 50V |
|---|---|
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| transistori tyyppi: | PNP - Pre-Biased |
| Toimittaja Device Package: | TO-236AB (SOT23) |
| Sarja: | - |
| Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia): | 2.2k |
| Vastus - Base (R1) (ohmia): | 2.2k |
| Virta - Max: | 250mW |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Muut nimet: | 1727-1702-2 568-11242-2 568-11242-2-ND 934058976215 PDTB123ET T/R PDTB123ET T/R-ND PDTB123ET,215-ND |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 13 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | PDTB123ET,215 |
| Taajuus - Siirtyminen: | - |
| Laajennettu kuvaus: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount TO-236AB (SOT23) |
| Kuvaus: | TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 40 @ 50mA, 5V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 500mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat PDTB123ET,215
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
PDTB123YUX | Nexperia USA Inc. | TRANS PREBIAS PNP 0.425W | tiedustelu |
|
PDTB123EUX | Nexperia USA Inc. | TRANS PREBIAS PNP 0.425W | tiedustelu |
 |
PDTB123YT,215 | Nexperia USA Inc. | TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB | tiedustelu |
 |
PDTB123YQAZ | Nexperia USA Inc. | TRANS PREBIAS PNP 3DFN | tiedustelu |
|
PDTB123EQAZ | Nexperia USA Inc. | TRANS PREBIAS PNP 3DFN | tiedustelu |
|
PDTB123TT,215 | Nexperia USA Inc. | TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB | tiedustelu |
|
PDTB114ETR | Nexperia USA Inc. | TRANS PREBIAS PNP 0.46W | tiedustelu |
|
PDTB114EUX | Nexperia USA Inc. | TRANS PREBIAS PNP 0.425W | tiedustelu |
|
PDTB123YUF | Nexperia USA Inc. | TRANS PREBIAS PNP 0.425W | tiedustelu |
|
PDTB123EUF | Nexperia USA Inc. | TRANS PREBIAS PNP 0.425W | tiedustelu |
|
PDTB114EQAZ | Nexperia USA Inc. | TRANS PREBIAS PNP 3DFN | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog