Ostaa PDTC114YQAZ BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 50V |
---|---|
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 100mV @ 250µA, 5mA |
transistori tyyppi: | NPN - Pre-Biased |
Toimittaja Device Package: | DFN1010D-3 |
Sarja: | Automotive, AEC-Q101 |
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia): | 47k |
Vastus - Base (R1) (ohmia): | 10k |
Virta - Max: | 280mW |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | 3-XDFN Exposed Pad |
Muut nimet: | 934069147147 |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 6 Weeks |
Valmistajan osanumero: | PDTC114YQAZ |
Taajuus - Siirtyminen: | 230MHz |
Laajennettu kuvaus: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 230MHz 280mW Surface Mount DFN1010D-3 |
Kuvaus: | TRANS PREBIAS NPN 3DFN |
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 100 @ 5mA, 5V |
Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 1µA |
Nykyinen - Collector (le) (Max): | 100mA |
Email: | [email protected] |