PDTC123EK,115
Osa numero:
PDTC123EK,115
Valmistaja:
NXP Semiconductors / Freescale
Kuvaus:
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17666 Pieces
Tietolomake:
PDTC123EK,115.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä PDTC123EK,115, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma PDTC123EK,115 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa PDTC123EK,115 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:150mV @ 500µA, 10mA
transistori tyyppi:NPN - Pre-Biased
Toimittaja Device Package:SMT3; MPAK
Sarja:-
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):2.2k
Vastus - Base (R1) (ohmia):2.2k
Virta - Max:250mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Muut nimet:934057551115
PDTC123EK T/R
PDTC123EK T/R-ND
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:PDTC123EK,115
Taajuus - Siirtyminen:-
Laajennettu kuvaus:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
Kuvaus:TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:30 @ 20mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):1µA
Nykyinen - Collector (le) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit