Ostaa PDTC123JT,215 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 50V |
---|---|
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 100mV @ 250µA, 5mA |
transistori tyyppi: | NPN - Pre-Biased |
Toimittaja Device Package: | TO-236AB (SOT23) |
Sarja: | - |
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia): | 47k |
Vastus - Base (R1) (ohmia): | 2.2k |
Virta - Max: | 250mW |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Muut nimet: | 1727-6276-2 568-8093-2 568-8093-2-ND 934054698215 PDTC123JT T/R PDTC123JT T/R-ND PDTC123JT,215-ND PDTC123JT215 |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 13 Weeks |
Valmistajan osanumero: | PDTC123JT,215 |
Taajuus - Siirtyminen: | - |
Laajennettu kuvaus: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount TO-236AB (SOT23) |
Kuvaus: | TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB |
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 100 @ 10mA, 5V |
Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 1µA |
Nykyinen - Collector (le) (Max): | 100mA |
Email: | [email protected] |