Ostaa PHB152NQ03LTA,118 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 1mA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | D2PAK |
Sarja: | TrenchMOS™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 4 mOhm @ 25A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 150W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Muut nimet: | 568-2186-2 934058425118 PHB152NQ03LTA /T3 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | PHB152NQ03LTA,118 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 3140pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 36nC @ 5V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 25V 75A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK |
Valua lähde jännite (Vdss): | 25V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 25V 75A D2PAK |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 75A (Tc) |
Email: | [email protected] |