Ostaa PHB29N08T,118 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 2mA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | D2PAK |
Sarja: | TrenchMOS™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 50 mOhm @ 14A, 11V |
Tehonkulutus (Max): | 88W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Muut nimet: | 1727-3056-2 568-2190-2 568-2190-2-ND 934057125118 PHB29N08T /T3 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 20 Weeks |
Valmistajan osanumero: | PHB29N08T,118 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 810pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 19nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 75V 27A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount D2PAK |
Valua lähde jännite (Vdss): | 75V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 75V 27A D2PAK |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 27A (Tc) |
Email: | [email protected] |