PHX8NQ11T,127
PHX8NQ11T,127
Osa numero:
PHX8NQ11T,127
Valmistaja:
NXP Semiconductors / Freescale
Kuvaus:
MOSFET N-CH 110V 7.5A SOT186A
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14869 Pieces
Tietolomake:
PHX8NQ11T,127.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä PHX8NQ11T,127, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma PHX8NQ11T,127 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa PHX8NQ11T,127 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-220-3
Sarja:TrenchMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:180 mOhm @ 6A, 10V
Tehonkulutus (Max):27.7W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Muut nimet:934058496127
PHX8NQ11T
PHX8NQ11T-ND
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:PHX8NQ11T,127
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:360pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:14.7nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 110V 7.5A (Tc) 27.7W (Tc) Through Hole TO-220-3
Valua lähde jännite (Vdss):110V
Kuvaus:MOSFET N-CH 110V 7.5A SOT186A
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:7.5A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit